试题详情
- 单项选择题单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
A、氮化硅
B、二氧化硅
C、光刻胶
D、多晶硅
- B
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