试题详情
- 简答题说明水汽氧化的化学反应，水汽氧化与干氧氧化相比速度是快还是慢？为什么？
- 化学反应：Si+2H2O->SiO2+2H2
水汽氧化与干氧氧化相比速度更快，因为水蒸气比氧气在二氧化硅中扩散更 快、溶解度更高 关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 以P2O
- 设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁
- 外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；
- 金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属
- 场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流
- 下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生
- 在半导体工艺中，硫酸常用于去除（）和配制
- 丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加
- 半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种
- 个投影曝光系统采用ArF光源，数值孔径为
- 解释扫描投影光刻机是怎样工作的？扫描投影
- 例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
- 解释投射电子能显微镜。
- 硅MOSFET和硅JFET结构相同。（）
- 例举并讨论引入铜金属化的五大优点。
- 采用CF4作为气
- 器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
- 根据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几
- 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
- 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速