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简答题例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
  • 硅中固态杂质扩散的三个步骤：
    （1）预淀积：表面的杂质浓度浓度最高，并随着深度的加大而减小，从而形成梯度。这种梯度使杂质剖面得以建立
    （2）推进：这是个高温过程，用以使淀积的杂质穿过硅晶体，在硅片中形成期望的结深
    （3）激活：这时的温度要稍微提升一点，使杂质原子与晶格中的硅原子键合形成替位式杂质。这个过程激活了杂质原子，改变了硅的电导率。

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