在MEMS加工中，为了精确控制腐蚀深度，有哪几种腐蚀停止技术，分

正确答案：腐蚀停止目的：为了精确控制腐蚀深度.P++腐蚀停止技术（形成重掺杂B层）： Si的湿法腐蚀速率在B掺杂浓度<1×10¹⁹cm^-3是稳定的值但当B掺杂浓度>5×10¹⁹cm^-3时腐蚀基本停止因此可用形成重掺杂B层来精确控制腐蚀深度（P++） [B]>10²⁰cm^-3时KOH腐蚀速率可减小20-100X 可以使用气态或固体B扩散源来制作腐蚀机理：Si+2OH_-→𝐒𝐢（𝐎𝐇）²⁺₂+4𝐞^-4𝑯₂O+4𝐞−→4（𝐎𝐇）^-+2𝑯₂在重掺杂情况下，电子与空穴复合，从而第二个反应难以进行，减小腐蚀速率与IC工艺不兼容大的残余应力可能会引起硅片翘曲电化学腐蚀停止技术电化学钝化：在硅片上加以足够大的阳极电势时，会在硅片表面发生氧化从而阻止腐蚀的进行。钝化电势：在钝化电势作用下会形成薄层Si𝑶₂，钝化电势大小与p-Si和n-Si相关基本要求：硅片一定要在阳极要产生钝化效果，一定要有电流反向偏置的PN结满足这一要求其他腐蚀停止技术：定时腐蚀；介质腐蚀停止（𝑺𝒊₃𝑵₄）
答案解析：
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