试题详情
- 简答题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的()性、()率,并影响其电学性能和()性,所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
- 完整;成品;可靠性
关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些?
- 液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产
- 采用CF4作为气
- 塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有()、模
- 什么是离子注入的横向效应?同等能量注入时
- 下图为硅外延生长速度对H2
- 在一个晶圆上分布着许多块集成电路,在封装
- 从离子源引出的是:()
- pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的
- 杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂,但
- 质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工
- 什么是溅射产额,其影响因素有哪些?简述这
- 例举并讨论引入铜金属化的五大优点。
- 晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机
- 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质,在整个
- 例出典型的硅片湿法清洗顺序。
- 在干法刻蚀的终点检测方法中,光学放射频谱
- 下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时
- 浸没式光刻机相对于传统的光刻机有何不同。
- 什么是阻挡层金属?阻挡层材料的基本特征是