试题详情
- 简答题什么是溅射产额,其影响因素有哪些?简述这些因素对溅射产额产生的影响。
-
溅射产额:影响因素:离子质量、离子能量、靶原子质量、靶的结晶性只有当入射离子的能量超过一定能量(溅射阈值)时,才能发生溅射,每种物质的溅射阈值与被溅射物质的升华热有一定的比例关系。随着入射离子能量的增加,溅射率先是增加,其后是一个平缓区,当离子能量继续增加时,溅射率反而下降,此时发生了离子注入现象。溅射产额与入射离子种类的关系:溅射产额S依赖于入射离子的原子量,原子量越大,则溅射率越高。溅射产额也与入射离子的原子序数有密切的关系,呈现出随离子的原子序数周期性变化关系,凡电子壳层填满的元素作为入射离子,则溅射率最大。因此,惰性气体的溅射率最高,氩通常被选为工作气体,氩被选为工作气体的另一个原因是可以避免与靶材料起化学反应。溅射产额与入射角度的关系:溅射产额对角度的依赖性于靶材料及入射离子的能量密切相关。
金、铂、铜等高溅射产额材料一般与角度几乎无关。Ta和Mo等低溅射产额材料,在低离子能量情况下有明显的角度关系,溅射产额在入射角度为40°左右时最大。低能量时,以不完整余弦的形式分布,最小值存在于接近垂直入射处;高能量溅射产额近似为:,θ为靶的法线与入射离子速度矢量的夹角。 关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求
- 分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图
- 在铜互连中,为什么要用铜扩散阻挡层?阻挡
- 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻
- 钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、
- Ⅰ号液是()过氧化氢清洗液.
- 硅MOSFET和硅JFET结构相同。()
- 有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?
- 最常用的金属膜制备方法有()加热蒸发、(
- 简述你所在工艺的工艺质量要求?你如何检查
- 抛光片的电学参数包括电阻率,载流子浓度,
- 写出菲克第一定律和第二定律的表达式,并解
- 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要
- 引线焊接有哪些质量要求?
- 例举高k介质和低k介质在集成电路工艺中的
- 如果热压楔形键合小于引线直径1.5倍或大
- 简述常规热氧化办法制备SiO2
- 给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路
- 简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
- 热退火用于消除离子注入造成的损伤,温度要