试题详情
- 判断题抛光片的电学参数包括电阻率,载流子浓度,迁移率,直径、厚度、主参考面等。()
- 错误
关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 简述硼和磷的退火特性。
- 例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
- 丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加
- 例出典型的硅片湿法清洗顺序。
- 光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的,曝
- 硅MOSFET和硅JFET结构相同。()
- 写出菲克第一定律和第二定律的表达式,并解
- 描述在硅片厂中使用的去离子水的概念。
- 采用无定形掩膜的情况下进行注入,若掩蔽膜
- 光刻工艺一般都要经过涂胶、()、曝光、(
- 下图为直流等离子放电的I-V曲线,请分别
- 离子注入层的深度主要取决于离子注入的()
- 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在
- 半导体材料的主要晶体结构有()型、闪锌矿
- 描述净化间的舞厅式布局。
- 光学光刻中影响图像质量的两个重要参数是什
- 解释投射电子能显微镜。
- 简述杂质在SiO2
- 解释离子束扩展和空间电荷中和。
- 点缺陷,如空位、间隙原子、反位缺陷、替位