试题详情
- 简答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
- 连续喷雾显影、旋覆浸没显影。
显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风。 关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但
- 点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位
- 例举出传统装配的4个步骤。
- 什么是阻挡层金属？阻挡层材料的基本特征是
- 用肉眼或显微镜可观察二氧化硅的以下质量：
- 在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱
- 下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别
- 单晶片切割的质量要求有哪些？
- 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么
- 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在
- 设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度
- 设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁
- 影响氧化速度的因素有哪些？
- 什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？
- 例举离子注入设备的5个主要子系统。
- 解释什么是暗场掩模板？
- 杂质原子的扩散方式有哪几种？它们各自发生
- 什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时
- 半导体材料的主要晶体结构有（）型、闪锌矿
- 反应离子腐蚀是（）。