试题详情
- 简答题影响氧化速度的因素有哪些?
- 掺杂物、晶体晶向、压力、温度、水蒸气。
关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 设置的非破坏性键合拉力通常为最小键合强度
- 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的
- 什么叫光刻?光刻工艺质量的基本要求是什么
- 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?
- 例举并描述IC生产过程中的5种不同电学测
- 例出光刻的8个步骤,并对每一步做出简要解
- 写出IC制造的5个步骤。
- 门阵列的基本结构形式有两种:一种是晶体管
- 简述几种常用的氧化方法及其特点。
- 简述你所在工艺的工艺质量要求?你如何检查
- 例举淀积的5种主要技术。
- 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻
- 化学清洗中是利用硝酸的强()和强()将吸
- 在铜互连中,为什么要用铜扩散阻挡层?阻挡
- 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低?
- 离子在靶内运动时,损失能量可分核阻滞和电
- 描述CVD反应中的8个步骤。
- 介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔
- 说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的
- 将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺