试题详情
- 简答题写出IC制造的5个步骤。
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要
- 禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导
- 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为（）
- 粘封工艺中，常用的材料有哪几类？
- 器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
- 硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷
- 什么是IC可靠性？什么是老化测试？
- 可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。（）
- 质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工
- 工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工
- 例举双大马士革金属化过程的10个步骤。
- 简述APCVD、LPCVD、PECVD的
- 在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2％
- 在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱
- 什么是多层金属化？它对芯片加工来说为什么
- 一片硅片由0.3um厚的SiO
- 影响氧化速度的因素有哪些？
- 对净化间做一般性描述。
- 解释什么是暗场掩模板？
- 集成电路封装有哪些作用？