试题详情
- 简答题工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工艺记录，做到记录内容详细、（）、（）、书写工整、（）。
- 真实；完整；数据准确
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导
- 假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从
- 简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？
- 什么是离子分布的偏斜度和峭度，和标准高斯
- 例举并讨论引入铜金属化的五大优点。
- 什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时
- 解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶
- 离子源是产生离子的装置。（）
- 影响氧化速度的因素有哪些？
- 什么是CMOS技术？什么是 ASIC？
- 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻
- 例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
- 退火处理能使金丝和硅铝丝的抗断强度下降。
- 在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱
- 解释空气质量净化级别。
- 例举出7种先进封装技术。
- 说明水汽氧化的化学反应，水汽氧化与干氧氧
- 单相3线插座接线有严格规定（）
- 什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这
- 杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但