试题详情
- 简答题解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？
- 光刻胶选择比是指显影液与曝光的光刻胶反应的速度快慢，选择比越高，反应速度越快，所以要比例高。
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 在光刻中，能够在增加分辨率的同时增加聚焦
- 定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是
- 金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂
- 金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般（
- 解释投射电子能显微镜。
- 说明影响氧化速率的因素。
- 下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生
- 离子源是产生离子的装置。（）
- CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么
- 对标准单元设计EDA系统而言，标准单元库
- 采用CF4作为气
- 光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？
- 简述常规热氧化办法制备SiO2
- 器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
- 位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内
- 离子注入后为什么要进行退火？
- 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的
- 从离子源引出的是：（）
- 大容量可编程逻辑器件分为（）和（）。
- 简述几种典型真空泵的工作原理。