试题详情
- 简答题描述CVD反应中的8个步骤。
- 1)质量传输
2)薄膜先驱物反应
3)气体分子扩散
4)先驱物吸附
5)先驱物扩散进衬底
6)表面反应
7)副产物解吸
8)副产物去除 关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 位错就是由范性形变造成的,它可以使晶体内
- 下图为直流等离子放电的I-V曲线,请分别
- 将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶
- 分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图
- 半导体材料的主要晶体结构有()型、闪锌矿
- 在干法刻蚀的终点检测方法中,光学放射频谱
- 简述RTP设备的工作原理,相对于传统高温
- 写出IC制造的5个步骤。
- Si-SiO2界面
- 门阵列的基本结构形式有两种:一种是晶体管
- 简述常规热氧化办法制备SiO2
- 个投影曝光系统采用ArF光源,数值孔径为
- 典型的GaAsMESFET结构IC的工艺
- 抛光片的质量检测项目包括:几何参数,直径
- 硅MOSFET和硅JFET结构相同。()
- 离子注入前一般需要先生长氧化层,其目的是
- 描述电子回旋共振(ECR)。
- 下图为硅外延生长速度对H2
- 例举出7种先进封装技术。
- 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的