试题详情
- 简答题分别画出单大马士革和双大马士革工艺流程图。
-
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工
- 腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）
- 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
- 设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁
- 抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，
- 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻
- Si-SiO2界面
- 属于绝缘体的正确答案是（）。
- MEMSSi加工工艺主要分为哪两类，它们
- 说明水汽氧化的化学反应，水汽氧化与干氧氧
- 平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、
- 化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸
- 干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度
- 离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是
- 简述外延薄膜的生长过程，其最显著的特征是
- 按构成集成电路基础的晶体管分类可以将集成
- 塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有（）、模
- 什么是固相外延（SPE）及固相外延中存在
- 外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构
- 定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是