试题详情
- 单项选择题反应离子腐蚀是()。
A、化学刻蚀机理
B、物理刻蚀机理
C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
- C
关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 晶体的特点是在各不同晶向上的物理性能、机
- 例举出7种先进封装技术。
- 简述APCVD、LPCVD、PECVD的
- 有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?
- 以P2O
- 定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是
- 如果热压楔形键合小于引线直径1.5倍或大
- 常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶
- 定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希
- 什么叫晶体缺陷?
- 例举并解释5个进行在线参数测试的理由。
- 名词解释:high-k;low-k;Fa
- 根据原理分类,干法刻蚀分成几种?各有什么
- 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺
- 写出IC制造的5个步骤。
- 简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性?
- 立式炉系统的五部分是什么?例举并简单描述
- 什么是特征尺寸CD?
- 单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定
- 什么是两步扩散工艺,其两步扩散的目的分别