试题详情
- 简答题有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？
-
常压化学气相淀积（APCVD.，
低压化学气相淀积（LPCVD.，
等离子体辅助CVD。 关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
- 质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工
- 一片硅片由0.3um厚的SiO
- 抛光片的质量检测项目包括：几何参数，直径
- 什么是阻挡层金属？阻挡层材料的基本特征是
- 衬底清洗过程包括哪几个步骤？
- 定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希
- 个投影曝光系统采用ArF光源，数值孔径为
- 哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀
- 平行缝焊的工艺参数有焊接电流、焊接速度、
- 离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是
- 例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
- 非接触式厚膜电路丝网印刷时，丝网与基片之
- 描述CVD反应中的8个步骤。
- 光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝
- 可靠性筛选可以剔除早期失效的产品。（）
- 给出投影掩模板的定义。投影掩模板和光掩模
- 典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的
- 厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复
- 干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度