试题详情
- 简答题常用溅射技术有哪几种,简述它们的工作原理和特点。
-
直流溅射——惰性气体,如氩,送入低压下的溅射腔体,电压加在电极上产生等离子体。加负直流电压的的是顶电极为需要淀积的源材料,例如铝或铝压板,作为靶材。硅片放置于底电极上,高能粒子撞击靶材,溅射出靶原子,这些原子以蒸汽形式自由走过等离子体撞击到硅片表面,凝聚并形成薄膜。
射频溅射——直流溅射方法的前提之一是靶材应具有较好的导电性。射频溅射是一种能适用于各种金属和非金属材料的一种溅射淀积方法。在两个电极之间接上高频电场时,因为高频电场可以经由其他阻抗形式耦合进入淀积室,不必要求电极一定是导电体。射频方法可以在靶材上产生自偏压效应.即在射频电场起作用的同时,靶材会自动地处于一个负电位,这将导致气体离子对其产生自发的轰击和溅射。在实际应用中,射频溅射的交流辉光放电是在l3.56MHz下进行的。
反应溅射——采用以纯金属作为溅射靶材,但在工作气体中通入适量的活性气体,使其在溅射淀积的同时生成特定的化合物,这种在淀积的同时形成化合物的溅射技术被称为反应溅射方法。
偏压溅射:溅射刻蚀和偏压溅射淀积溅射刻蚀:在淀积前的一个短时间内,将衬底和靶的电学连接相颠倒,可以使得衬底发生溅射而不是靶材,这样可以从晶圆片表面去除自然氧化物和残留的玷污。对于简单的磁控系统,如果衬底和淀积材料是导体,可以调节加于衬底上的相对于等离子体的偏压。因为溅射刻蚀的薄膜,在低偏压下可以重新淀积于晶圆片上,因而得到台阶覆盖的净改善。 关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么
- 什么是阻挡层金属?阻挡层材料的基本特征是
- 根据曝光方式的不同,光学光刻机可以分成几
- 例举高k介质和低k介质在集成电路工艺中的
- 位错就是由范性形变造成的,它可以使晶体内
- 离子注入层的深度主要取决于离子注入的()
- 应力分为压应力和张应力,下图的形状是由于
- 例举离子注入设备的5个主要子系统。
- 定义刻蚀选择比。干法刻蚀的选择比是高还是
- 杂质原子的扩散方式有哪几种?它们各自发生
- 在一个晶圆上分布着许多块集成电路,在封装
- 描述金属复合层中用到的材料?
- 分别简述RVD和GILD的原理,它们的优
- 大容量可编程逻辑器件分为()和()。
- 影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些?
- 抛光片的电学参数包括电阻率,载流子浓度,
- 微波混合集成电路是指工作频率从300MH
- 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
- 典型的GaAsMESFET结构IC的工艺
- 写出半导体产业发展方向?什么是摩尔定律?