试题详情
- 简答题简述5次光刻的工艺流程。
- 栅极→a-Si:H有源岛→源漏电极、n+a-Si沟道切断→SiNx保护膜、过孔→ITO像素电极。
关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 源漏电极很多工厂采用的复层材料Mo/Al
- LCD显示产生交叉效应的原因是什么?用什
- 简述5次光刻的工艺流程。
- 简述灰度级和颜色数的关系?并举例说明。
- 几种常见的电子发射是什么?
- 简述VA技术如何实现光学补偿的。
- 简述小分子OLED与高分子PLED的优缺
- 举例说明PECVD成膜的使用的气体及反应
- 试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。
- 描述无源矩阵的点阵式驱动的原理。
- 简述有机发光二极管限制发光效率的因素以及
- 简述液晶的种类。
- 简述彩膜的基本结构及各部分的作用。
- 传统的液晶注入方式的工艺流程。
- 简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺
- 简述液晶显示器的驱动的特点。
- 简述有源矩阵的驱动原理。
- 试根据5次光刻的工艺流程绘制等效电路。
- 试分析如何减少绝缘膜的针孔及工业上采用的
- 简述液晶材料的物理性质对显示性能的影响。