试题详情
- 简答题试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。
- 在4次光刻中,第二次光刻有源岛和第三次光刻的源漏电极合为一次光刻,为4次光刻的第二次光刻,光刻次数减少,但工艺难度大大增大。
第二次光刻的工艺流程概括为:连续沉积薄膜→涂胶→多段式调整掩膜版曝光→显影→湿法刻蚀→干法刻蚀及灰化→再湿刻和再干法刻蚀。 关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 试根据5次光刻的工艺流程绘制等效电路。
- 简述ELA技术制备LTPS TFT的缺点
- 简述ACF的作用。
- 简述微腔结构的特点。
- 简述FFS技术与IPS技术的差别。
- 简述LED背光源的优势。
- 简述液晶显示器亮度决定因素有哪些?并计算
- 简述Förster能量转移和D
- 简述液晶的种类。
- 简述单像素双畴FFS模式的实现的原理。
- 分析为什么COF工艺具有轻薄短小的特点?
- 简述5次光刻的工艺流程。
- 简述液晶材料的物理性质对显示性能的影响。
- 简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。
- 简述能量转移再复合发光的优点。
- 在一个演出的场合需要使用200英寸以上的
- 简述提高IGZO TFT性能的方法。
- 用对比的方法描述ODF与传统液晶注入方式
- 简述PVA技术和MVA技术的主要不同。
- 简述氧化物薄膜晶体管的特点。