试题详情
- 简答题简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。
- 当栅极上不加电压或加负电压时，在源到漏之间沟道没有形成，TFT处于关态。当栅极施加正电压到足够大，在绝缘层与a-Si：H层的界面附近，非晶硅半导体一侧感应出等量异号的负电荷形成电子的积累，形成导电沟道。当施加漏源加电压时就会有电流从沟道流动。
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 简述VFD的局限性及发展。
- 简述提高IGZO TFT性能的方法。
- 简述PDP显示面临的问题？适合应用在哪些
- 描述采用ODF工艺的制屏工艺流程。
- 简述聚合物发光二极管的发光原理。
- 简述有机材料的光致发光的过程。
- 简述晶体与非晶材料在导电上的差别？
- 简述有机发光二极管限制发光效率的因素以及
- 简述PECVD薄膜沉积的原理。
- 试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。
- 试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采
- 简述PDP多灰度级显示的实现方法。
- 何为LED器件的变频特性？由于LED变频
- 简述CRT显示的原理。
- 简述MVA技术的显示原理。
- 简述液晶显示器闪烁形成的原因。
- 简述影响OLED发光效率的主要因素和提高
- 简述FFS技术中电极和电场的特点。
- 请画出TN-LCD的结构图，简述TN型液
- 简述LED背光源的优势。