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简答题试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗？
  • 背曝光是一种自对准的光刻工艺，不需要掩膜版，利用栅线和栅极的金属图形做掩膜进行曝光的工艺。栅线、栅极、存储电容等有金属薄膜的地方上面的光刻胶都没有曝光，其他没有遮挡的地方都被背曝光的紫外光照到，光刻胶的性质发生改变。需要再用一次曝光，利用掩膜版掩膜把栅线和存储电容上面的光刻胶被一次曝光的紫外光照射到，留下阻挡层图像。
    为了形成精确对准且能够恰好在栅极上面的i/sSiNx阻挡层小图形，采用连续两次曝光，先背面曝光再一次曝光相结合的光刻工艺。仅采用一次曝光，对版精度和图形的大小都要受到限制，工艺难度大。

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