试题详情
- 多项选择题超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有()。
A、高分辨率
B、高灵敏度
C、精密的套刻对准
D、大尺寸
E、低缺陷
- A,B,C,D,E
关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 离子源腔体中的气体放电形成()而引出正离
- 一般分析扩散系数,考虑两种条件,即恒定表
- 按曝光的光源分类,曝光可以分为()。
- point defect的意思是()。
- 菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积
- 关于正胶和负胶在显影时的特点,下列说法正
- ()主要是以化学反应方式来进行薄膜沉积的
- 试写出下列SMC元件的长和宽(毫米):1
- 钠、钾等大离子在二氧化硅结构中是()杂质
- 请在下列选项中选出多晶硅化金属的英文简称
- 检验水中是否有盐酸,可用()溶液滴入水中
- 干氧氧化中,氧化炉内的气体压力应()一个
- 如果固体中的原子排列情况是紊乱的,就称之
- 什么叫TFT技术?TFT技术的主要特点是
- 为了避免()在经过氯化物等离子体刻蚀之后
- 真空蒸发又被人们称为()。
- 在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。
- 试简述表面安装技术的产生背景是什么?
- 用五色环标注电阻:2.00kΩ±1%,3
- ()是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有