试题详情
- 简答题 一Al2O3晶体圆柱（如右图），直径为D，受轴向拉力F，如临界抗剪强度为τc，求沿图中所示之一（θ方向）固定滑移系统产生滑移时，所需必要的拉力值。同时计算在滑移面上的法向应力。
-
一Al2O3晶体圆柱，直径为D，受轴向拉力F，临界抗剪强度为τc，在滑移面上的应力为
沿（θ方向）固定滑移系统产生滑移时，所需必要的拉力值为
在滑移面上的应力为
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 设电子在无限深势阱中运动，势阱为： 求
- 什么是弹性模量，比较金属、陶瓷和高分子材
- 高分子的分子结构
- 压碱效应
- 荧光材料由（）和（）组成，前者的主要作用
- 硬磁材料与软磁材料各自的特点与区别是什么
- 准经典模型中，在自由电子气体模型的基础上
- 下表是一些物质的键能和熔点数据，请据此比
- 求两种一价离子等间距排列构成的一维原子链
- 剩余阻抗比用来表述金属材料的纯度，记作（
- 解释什么是ZnO压敏电阻的晶界效应。
- 介质极化的基本形式及概念、基本特点是什么
- 非扩散型相变
- 简述形状各向异性、退磁场强度、退磁因子、
- 证明：长波下单原子链运动方程为 可化为
- 一陶瓷零件上有一垂直于拉应力的边裂，如边
- 设晶体中某一能带，从E=E0<
- 影响离子电导率的主要因素有（）、（）、（
- 3He原子是具有自
- 利用（）与（），可以减小玻璃的电导率。