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简答题何为擎住效应？危害是什么？如何避免？
  • 由于IGBT的结构中内部存在一只NPN型寄生晶体管，当漏极电流大于规定的临界值时，该寄生晶体管因有过高的正偏置被触发导通，使PNP管也饱和导通，结果IGBT的栅极失去控制作用，这就是擎住效应。
    IGBT发生擎住效应后漏极电流增大，造成过高的功耗，最后导致器件损坏。
    避免措施：
    1.不使漏极电流超过临界值；
    2.加大栅极电阻，延长IGBT的关断时间。

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