试题详情
- 简答题简述4次光刻的工艺流程。
- 栅极→a-Si:H有源岛、源漏电极、n+a-Si沟道切断→SiNx保护膜、过孔→ITO像素电极
关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 简述VA技术如何实现光学补偿的。
- 黑白全电视信号由哪些信号组成?说明这些信
- 举例说明PECVD成膜的使用的气体及反应
- 描述MVA技术如何实现的广视角?
- 简述分子轨道理论。
- FED阴阳间距大小对显示性能的影响如何?
- 简述有机发光二极管限制发光效率的因素以及
- 在一个演出的场合需要使用200英寸以上的
- 简述有机材料和无机半导体材料的相同点和不
- 简述ACF的作用。
- 简述CRT显示的原理。
- 简述ELA技术制备LTPS TFT的缺点
- VFD工作原理及其器件构造是怎样的?
- 描述MVA技术的工艺方案。
- 简述LED和OLED电致发光的发光原理的
- 简述激光转移技术的工艺流程。
- 简述OLED电致发光概述。
- 请画出TN-LCD的结构图,简述TN型液
- 简述彩膜的基本结构及各部分的作用。
- 简述微腔结构的工作原理,如何设计微腔的光