试题详情
- 单项选择题为了解决中性束对注入均匀性的影响,可在系统中设有(),使离子束偏转后再达到靶室。
A、磁分析器
B、正交电磁场分析器
C、静电偏转电极
D、束流分析仪
- C
关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅
- 电流通过导线时,在导线里因电阻损耗而产生
- 在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的
- 空气污染物按照处理性质来分:有()。
- 选择和使用固态继电器应注意哪些问题?
- 离子注入的主要气体源中,易燃、易爆的有(
- 电子工艺学有哪些特点?
- 二氧化硅生长过程中,当分凝系数小于1时,
- 试叙述SMD集成电路的封装形式。并注意收
- 显像管由哪几部分组成?显像管是如何分类的
- 在半导体工艺中,如果淀积的薄膜不是连续的
- 如何选择烙铁头的形状?总结使用烙铁的技巧
- 在元器件上常用的数值标注方法有哪三种?
- 在直流二极管辉光放电系统的玻璃管中,自由
- 在确定扩散率的测结深实验中,结深的测量是
- 当注入剂量增加到某个值时,损伤量不再增加
- 按加热源的不同,可以分成()几种不同类型
- 在热扩散工艺中的预淀积步骤中,硼在900
- 干簧继电器和电磁式继电器相比有哪些特点?
- 净化室里废气收集管系统分为两类,分别是(