试题详情
- 多项选择题下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。
A、CF4
B、BCl3
C、Cl2
D、F2
E、CHF3
- B,C
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 如何合理选用电烙铁？
- 功率器件典型的安装方式有哪些？
- （）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄
- 工艺文件的电子文档化要注意哪些问题？怎样
- （）由钟罩、蒸气源加热器、衬底加热器、活
- 晶片表面上的粒子是通过（）到达晶片的表面
- 无铅焊接的特点及技术难点是什么？
- 菲克一维扩散定律公式中的J是代表单位面积
- 阳树脂用盐酸做再生液，浓度为（）溶液可用
- 选择和使用固态继电器应注意哪些问题？
- 下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主
- 离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。
- 去正胶常用的溶剂有（）
- （）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。
- 化学气相沉积的英文名称的缩写为（）。
- 当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加
- 由于离子交换树脂反应，它既可以去除水中杂
- 扩散工艺现在广泛应用于制作（）。
- 干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（
- 采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是