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多项选择题下列有关ARC工艺的说法正确的是（）。

A、ARC可以是硅的氮化物

B、可用干法刻蚀除去

C、ARC膜可以通过PVD或者CVD的方法形成

D、ARC在刻蚀中也可做为掩蔽层

E、ARC膜也可以通过CVD的方法形成

  • A,B,C,D,E

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