试题详情
- 简答题什么是结深？
- 硅片中p型杂质和n型杂质相遇的深度被称为结深。
关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的
- 定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希
- 解释离子束扩展和空间电荷中和。
- 外壳设计包括电性能设计、热性能设计和结构
- 简述硼和磷的退火特性。
- 热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关
- 腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用（）
- 说明SiO2的结构
- 解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因
- 硅外延生长工艺包括（）。
- 工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工
- 点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位
- 描述净化间的舞厅式布局。
- 设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁
- 金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般（
- 厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复
- 简述BOE（或BHF）刻蚀SiO
- 简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？
- 最常用的金属膜制备方法有（）加热蒸发、（
- 什么是CMOS技术？什么是 ASIC？