半导体芯片制造工试题库外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。硅MOSFET和硅JFET结构相同。（）光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质操作人员的质量职责是什么？厚膜元件材料的粉末颗粒越小、表面形状謦复杂，比表面积就越大，则表以P2O2为例说明S集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？简述几种常用的氧化方法及其特点。根据曝光方式的不同，光学光刻机可以分成几类？各有什么优缺点？简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性？门阵列的基本结构形式有两种：一种是晶体管阵列，一种是门阵列（）名词解释：CVD、LPCVD、PECVD、VPE、BPSG。（将半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。一种是（），另在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？什么是More moore定律和More than Moore定按蒸发源加热方法的不同，真空蒸发工艺可分为：（）蒸发、（）蒸发、恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布？（）金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺，金属作封装底盘、管帽和引线，抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参叙述H2还原SiCl4芯片焊接质量通常进行镜检和（）两项试验。热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）为什么要采用LDD工艺？它是如何减小沟道漏电流的？例举并描述薄膜生长的三个阶段。例举双大马士革金属化过程的10个步骤。Ⅰ号液是（）过氧化氢清洗液.给出投影掩模板的定义。投影掩模板和光掩模板的区别是什么？采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少更多试题请关注下方微信公众号
