试题详情
- 简答题为什么要采用LDD工艺？它是如何减小沟道漏电流的？
- 沟道长度的缩短增加了源漏穿通的可能性，将引起不需要的漏电流，所以需要采用LDD工艺。
轻掺杂漏注入使砷和BF2这些较大质量的掺杂材料使硅片的上表面成为非晶态。大质量材料和表面非晶态的结合有助于维持浅结，从而减少源漏间的沟道漏电流效应。 关注下方微信公众号，在线模考后查看
热门试题
- 金丝球焊的优点是无方向性，键合强度一般（
- 什么是印刷电路板？
- 光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（
- 写出半导体产业发展方向？什么是摩尔定律？
- 双极晶体管的1c7r噪声与（）有关。
- 解释空气质量净化级别。
- 点缺陷，如空位、间隙原子、反位缺陷、替位
- 反应离子腐蚀是（）。
- 什么是IC可靠性？什么是老化测试？
- 在低温玻璃密封工艺中，常用的运载剂由2％
- 禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导
- 位错的形成原因是（）。
- 给出使用初级泵和真空泵的理由。
- 在光刻中，能够在增加分辨率的同时增加聚焦
- 什么是光刻中常见的表面反射和驻波效应？如
- 例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤。
- 对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为90
- 半导体集成电路生产中，元件之间隔离有（）
- 根据原理分类，干法刻蚀分成几种？各有什么
- 例举出两种最广泛使用的集成电路封装材料。