试题详情
- 判断题低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便,但膜不够致密,耐潮性和抗离子沾污能力较差。()
- 正确
关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 刻蚀工艺有哪两种类型?简单描述各类刻蚀工
- 什么是CMOS技术?什么是 ASIC?
- 什么是离子注入中常发生的沟道效应(Cha
- 例出并描述4种真空范围。
- 描述化学机械平坦化工艺。
- 硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷
- 操作人员的质量职责是什么?
- 例出典型的硅片湿法清洗顺序。
- 例举出7种先进封装技术。
- 例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
- 门阵列的基本结构形式有两种:一种是晶体管
- 简述RTP设备的工作原理,相对于传统高温
- 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的
- 下图为一个典型的离子注入系统。(1)给出
- 离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参
- 叙述氮化硅的湿法化学去除工艺。
- 设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁
- 对净化间做一般性描述。
- 从离子源引出的是:()
- 什么是特征尺寸CD?