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单项选择题在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的（）而成为相邻电子元件的绝缘体

A、栅氧化层

B、沟槽

C、势垒

D、场氧化层

  • D

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