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单项选择题晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

A、n型掺杂区

B、P型掺杂区

C、栅氧化层

D、场氧化层

  • C

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