试题详情
- 简答题描述热氧化过程。
- ①干氧:Si+O2 SiO2
氧化速度慢,氧化层干燥、致密,均匀性、重复性好,与光刻胶 的粘附性好
②水汽氧化:Si+H2O SiO2(固)+H2(气)
氧化速度快,氧化层疏松,均匀性差,与光刻胶的粘附性差
③湿氧:氧气携带水汽,故既有Si与氧气反应,又有与水汽反应
氧化速度、氧化质量介于以上两种方法之间 关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 硅外延片的应用包括()。
- 铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不
- 说明影响氧化速率的因素。
- 描述电子回旋共振(ECR)。
- 简述杂质在SiO2
- 什么是硅片的自然氧化层?由自然氧化层引起
- MEMSSi加工工艺主要分为哪两类,它们
- 热生长SiO2 –
- 简述硼和磷的退火特性。
- 硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷
- 简述常规热氧化办法制备SiO2
- 丝网印刷膜的厚度不随着刮板移动速度的增加
- 金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂
- 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻
- 下列材料属于N型半导体是()。
- 下图为一个典型的离子注入系统。(1)给出
- 介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔
- 低温淀积二氧化硅生长温度低、制作方便,但
- 以P2O
- 将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺