试题详情
- 简答题对于大尺寸的MOS管版图设计,适合采用什么样的版图结构?简述原因。
-
(1)S管的版图一般采用并联晶体管结构。
采用并联晶体管结构后,可共用源区和漏区,使得在同样宽长比的情况下,漏区和源区的面积被减小,并因此使得器件源极和漏极的PN结电容被减小,对提高电路的动态性能很有好处。
(2)寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。
因为器件的尺寸大,即叉指的个数较多,如果采用简单并列的方式,将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。同时,由于在一维方向上的工艺离散性,也将导致最左端的叉指和最右端的叉指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。 关注下方微信公众号,在线模考后查看
热门试题
- 什么是扩散效应?什么是自掺杂效应?这两个
- 门阵列的基本结构形式有两种:一种是晶体管
- 简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求
- 在半导体工艺中,硫酸常用于去除()和配制
- 如果热压楔形键合小于引线直径1.5倍或大
- 什么是IC可靠性?什么是老化测试?
- 半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程
- 设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁
- 什么是薄膜?
- 假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散,从
- 光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的,曝
- 简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
- 钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、
- 描述曝光波长和图像分辨率之间的关系。
- 定义刻蚀速率并描述它的计算公式。为什么希
- 气中的一个小尘埃将影响整个芯片的()性、
- 热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合
- 解释发生刻蚀反应的化学机理和物理机理。
- 采用CF4作为气
- 常用溅射技术有哪几种,简述它们的工作原理